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　　中来股份董事长林建伟对J-TOPCon2.0技术的应用和发展非常有信心，他表示：“这次TOPCon技术的进步是我们多年梦寐以求的目标，我非常激动中来能够引领行业，把TOPCon制造技术推向一个新的高度。我们愿意一起跟同行分享这个新技术，为高效太阳能电池的生产普及做贡献。”

　　

　　中来TOPCon 1.0制造工艺和技术是基于N 型硅片，通过隧穿氧化层和掺杂多晶硅实现钝化接触，大幅度提高电池效率。经过多年研发和生产调试，中来量产效率虽然达到了世界领先的23.5%+，但是由于隧穿氧化层通过高温氧化， LPCVD沉积非晶硅，离子注入掺磷，并经高温退火，多晶硅绕镀清洗等多道工序完成。相比于PERC电池量产，生产成本和良率是长期困扰的难题。

　　

　　此次J-TOPCon 2.0新技术是与江苏杰太光电技术有限公司合作，利用其独创的线性等离子源技术，共同开发了一套全新的POPAID技术 (Plasma Oxidation & Plasma Assisted Insitu-doping Deposition)，等离子氧化及等离子辅助原位掺杂技术。POPAID利用链式平台传输载板，能够在不破真空情况下同时完成隧穿氧化和掺杂非晶硅沉积，真正做到无绕镀。POPAID技术是全新的中国创新概念和技术，他是在光伏电池制造领域难得的中国原创、世界领先的镀膜概念。

　　

　　POPAID设备上实现了多项创新工艺，其中等离子氧化硅的形成(PO)对表面没有损伤、而且镀膜厚度在0.1nm精度范围，真正实现了亚纳米镀膜工艺控制。和常规高温氧化相比，隧穿钝化效果更加优越。

　　

　　达到表面钝化和接触选择性同时提升的效果，均匀性更佳。对于掺杂非晶硅镀膜(PAID)工艺，该设备采用等离子强化的镀膜工艺，实现掺杂的非晶硅膜沉积，退火后掺杂浓度可高达4×1020原子/cm3，是常规离子注入浓度的一倍以上。经两道工艺的整合，J-TOPCon 2.0电池效率超过常规离子注入0.2%以上，开路电压(Voc)，填充因子(FF)均有提升。良率也可提高2%。

　　

　　POPAID装备技术使一台设备可以替代现有管式高温氧化、管式LPCVD，离子注入去绕镀清洗四道工序的四台设备，量产设备产能达到8000片/小时。

　　

　　中来称，由于利用POPAID 技术使原来TOPCon 12道制造工序缩短到9道工序。这不仅提升电池效率，而且提升生产良率和降低生产成本，可跟高效PERC电池工艺流程相媲美。可以说，J-TOPCon 2.0为新一代高效TOPCon电池的量产推广铺平了道路，这是对TOPCon技术的一次革命性贡献。