据悉，此次效率的突破，区别于传统意义上“实验室效率”，中央研究院所属新能源科技有限公司研发团队在大尺寸硅片上，通过自有技术导入，获得了低表面态密度、高质量界面钝化、高迁移率、高透过率、低接触势垒及低遮光面积的高性能电池。C-HJT电池技术是经中试线验证，能够直接应用于产业端，进行技术成果产业化，为国家电投在光伏产业孵化新的利益增长点提供有力支撑。
C-HJT高效光伏电池
异质结电池具有结构简单、工艺温度低、钝化效果好、开路电压高、温度特性好、双面发电等优点，是高转换效率硅基太阳能电池的主要方向之一。C-HJT(Copper-Heterojunctionwith intrinsic Thin film)高效晶体硅铜异质结电池是使用N型硅片为衬底，通过真空薄膜沉积工艺在N型硅片正反面分别结合本征及不同掺杂类型的非晶硅薄膜，并采用双面透明导电薄膜做电流收集层，从而形成高效光伏电池。区别于常见的丝网印刷银栅线的硅异质结电池，C-HJT电池的特点在于其采用金属沉积的方式制备铜栅线，使栅线具有更加优化的高宽比，提高了短路电流，提升了电池的转换效率，同时铜栅线在材料导电性及成本上也更具有优势。
