ISFH主任RolfBrendel教授表示，“我们的结果表明，无论是n型硅、硼扩散还是非晶硅，它们都不是实现超高效率所必须的。还有其他很有吸引力的办法能取得最高硅效率，同时潜在的成本又很低！“
创下记录的电池在电池负接触极上使用钝化电子选择n+型多晶硅氧化（POLO）触点，在正接触极上使用孔选择P+型POLO触点。
POLO触点的高选择性是实现高效率的一个关键因素，背部叉指模式使用了这种触点，能够最大限度地减少多晶硅中的寄生吸收，避免金属指状物对正面的遮蔽。
n+型和P+型多晶硅由一块内置多晶硅区域彼此分离，该区域使用实验室工艺进行处理。ISFH指出介质背面反射激光消融，类似于目前的生产技术。
创下记录的电池在经过ISO17025认证的校准和测试中心ISFH-加利福尼亚理工学院进行了测试和验证。电池开路电压为（726.6±1.8）mV，短路电流密度为（42.62±0.4）mA/c㎡，在4c㎡指定电池面积上的填充因子为（84.28±0.59）%。
“用激光接触开口取代光刻是迈向工业化的重要的第一步，因为它实现了金属化丝网印刷工艺。“工作组组长RobbyPeibst教授表示。
ISFH指出了项目合作伙伴Centrotherm和瓦克化学的贡献。Centrotherm在低压化学气相沉积反应器中沉淀了多晶硅层，瓦克化学贡献了硅片的高温加工知识。
ISFH的研究获得了德国联邦经济和能源部（BMWi）以及下萨克森州的资金支持。
POLO触点单晶硅太阳能电池，两极都在太阳能电池背面。前方图片是在一块硅片上加工的七个太阳能电池背部，后方图片是整个前部。
