项目以实现碳化硅和氮化镓光伏逆变器的示范应用为最终目标，开发了低缺陷SiC外延生长技术、攻克了氮化镓二极管及增强型氮化镓三极管设计技术、碳化硅二级管及MOSFET关键工艺和量产技术、高压氮化镓和碳化硅器件高频驱动技术、基于氮化镓及碳化硅电力电子器件的新型光伏逆变器拓扑设计技术等关键技术方法。完成了基于GaN和SiC器件的逆变器示范应用，形成对基于宽禁带电力电子器件新型高效光伏逆变器及并网系统的整体展示。
项目的实施，形成国内GaN、SiC大功率光伏逆变器研发及生产产业链，有力地支撑了我国宽禁带电力电子器件、装置及相关行业的技术进步。专家组一致认为，该项目完成了立项通知规定的研究内容及主要考核指标，同意通过验收。
